新高速 NAND 技术针对计算、视频、摄像以及其他电子消费产品而开发
商业编辑/技术撰稿人
美国商业资讯 2008 年 1 月 3 1日爱达荷州博伊西及加州圣克拉拉消息——
今天,英特尔公司与 Micron 科技有限公司(纽约证券交易所:MU)共同揭开了高速 NAND 闪存技术的面纱,该技术能够极大地提高在利用硅片进行存储的设备中访问和传输数据的能力。这项新技术由英特尔与 Micron 共同携手开发,由两家公司的 NAND 闪存合资企业 IM Flash Technologies (IMFT) 进行制造生产,它比传统的 NAND 快 5 倍,能够在很短的时间内为计算、视频、摄像以及其他消费电子产品实现快速的数据传输。
这项新高速 NAND 技术通过利用新的 ONFI 2.0规格以及一个具有更高时钟速度的四平面架构实现高达 200 MB/s 的数据读取速度、100 MB/s 的数据写入速度。而相比而言,传统的单级单元 NAND 技术的数据读取速度最快不超过 40 MB/s,数据写入速度不超过 20 MB/s。
Micron 公司 NAND 开发副总裁 Frankie Roohparvar 表示,“Micron 期待通过利用高速 NAND 技术实现快速的数据读写速度。我们正在同一些重要的专业技术开发商和合作伙伴展开合作,共同构建和优化可利用其更强性能优势的相应系统技术。Micron 致力于 NAND 创新,以及将设计的新功能融入这项技术,为今天最受人们欢迎的消费电子和计算设备创建一个强大的数据存储解决方案。”
英特尔 NAND 产品事业群的营销总监 Pete Hazen 表示,“整个计算市场正在迎接基于 NAND 的解决方案的到来,通过使用缓存和固态硬盘提高系统性能。除了在性能上是传统 NAND 的5倍外,这项由英特尔与Micron 共同开发、基于 ONFi 2.0产业标准的高速 NAND 技术将会实现利用包括 PCIe 和诸如USB3.0等即将到来的标准在内的高性能系统接口的新的嵌入和可移动解决方案。”
例如,今天最受人们欢迎的设备中高速 NAND 技术的具体性能优势包括:
-- 在混合硬盘中使用时,与传统的硬盘相比,高速 NAND 可使系统能够在任何位置以 2 倍或 4 倍的速度读取和写入数据。
-- 随着数码摄像机和视频点播服务的普及,高速 NAND 能够以比传统的 NAND 快 5 倍的速度传输高清晰电影。
-- 使用即将到来的 USB 3.0 接口,预计高速 NAND 可有效地以新规格中更高的数据传输速度进行传输,而传统的 NAND 将会是系统性能的瓶颈。USB 3.0 的目标是当前 USB 2.0 解决方案带宽的10倍,或达到大约 4.8 GB/s 的速度。
-- 随着 NAND 继续植入 PC 平台,非易失性存储器主控制器接口 (NVMHCI) 可利用诸如英特尔(R) Turbo Memory 等解决方案中的高速 NAND 技术,从而实现更佳的系统性能。NVMHCI 用于提供一个标准的软件编程接口,让操作系统驱动程序能够在如硬盘缓存和固态硬盘的应用中访问 NAND 闪存存储,。
有关高速 NAND 的其他信息,以及有关这项技术的应用和机会,请访问 Micron 网站 www.micron.com/highspeednand。
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本新闻稿包含有关高速 NAND 生产的前瞻性声明。实际情况或结果可能与前瞻性声明中的描述有较大出入。请以本公司不时提交给证券交易委员会的文件和材料,尤其是本公司提交的最新 10-K 和 10-Q 表。这些文件包含并确认了可能导致实际结果与前瞻性声明中所述情况不同的某些重要性因素(请参阅确定性因素)。虽然我们相信前瞻性声明中反映的预期是合理的,但是我们不对未来预期结果、行为、性能或者成绩承担保证责任。在本新闻稿确认的实际结果发布之后,本公司不承担更新这些前瞻性声明的任何责任。
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