现在正在供应高密度，行业标准的系列产品的样品，以提供嵌入式客户选择、长久的产品寿命和高性/价比

　　商业编辑/高科技撰稿人

　　美国商业资讯2008年7月14日内瓦消息—

　　恒忆(Numonyx B.V.)于今天宣布，已经将高密度NOR闪存产品拓展到65纳米(nm)工艺光刻，以满足嵌入式客户的需求。根据该公司的声明，迁移到65纳米工艺技术，将提供性/价平衡，确保延长产品生命周期，这两者均是原始设备制造商(OEM)针对嵌入式细分市场进行设计的重要因素。这些产品非常适合在消费性电子装置、有线通信设备和工业应用中使用。恒忆正在拓展其M29系列，目前正在向关键客户供应样品——2009年上半年将开始大量生产。

　　恒忆公司嵌入式业务部的副总裁兼总经理Glen Hawk说，“我们的客户要求在信任可靠的技术和制造源的基础上，平稳供应密度和架构广泛的产品。我们能够加快嵌入式产品向65纳米的迁移，从而满足这些需求。这些产品采用我们的第六代StrataFlash®多级单元(MLC)技术(自2006年开始生产)——将代码可靠的产品融入到高度稳定的制造工艺中。”

　　嵌入式应用中加入65纳米工艺，使得恒忆能够支持很长的产品生命周期，并提供增强的产品功能和成本效率。恒忆NOR产品为嵌入式市场同时提供了并行和串行解决方案。恒忆工业标准的闪存(M29)以其更多的性能优势、易使用性和可靠性，从而满足了苛刻的嵌入式设计的需求。恒忆StrataFlash嵌入式存储器(P30/P33)是恒忆公司支持突发粒度、高密度、高性能的代码和数据解决方案。恒忆嵌入式闪存(J3)继续提供范围广泛的密度用于遗留设计。业界标准的恒忆串行闪存(M25)的接口引脚数少，封装较小，简化了主板设计，节省了主板空间，适合DTV、DVD、PC、调制解调器和打印机等一系列应用。

　　关于恒忆

　　恒忆设计和制造集成的NOR、NAND和相变非易失性存储器工艺和产品，来满足客户在无线、数据和嵌入式市场中日益复杂的需求。恒忆融合了英特尔公司闪存部门和意法半导体的技术与制造专业知识，致力于为全球客户群提供高密度、低功率的存储技术和封装解决方案。如欲了解有关恒忆的更多信息，请访问www.numonyx.com。

　　StrataFlash是恒忆的注册商标。

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